会議発表用資料 NbNiシリサイドS/D 3C-SiC nMOSFETsと高ガンマ線 照射特性

永野, 耕平  ,  目黒, 達也  ,  武山, 昭憲  ,  牧野, 高 紘  ,  大島, 武  ,  田中, 保宣

2018-03-20
内容記述
ソースおよびドレイン電極にNbNiシリサイドを用いた3C-SiC nMOSFETを作製し、動作評価およびガンマ線照射実験を行った。Si基板上に3C-SiC (100)をp型エピタキシャル成長(エピ厚: 5 μm)させた基板に、5×1018cm3の濃度のAlを600℃加熱下にて基板全面に注入した後、1350℃で60分のキャップアニールを実施することで基板のp型化を図った。全面注入後の基板にSiO2のダミーゲートを形成した後、500℃加熱下で5×1020 cm3の濃度のPを注入し、1250℃で60分のキャップアニールを行いソース、ドレイン領域を形成した。基板全面にSiO2層を堆積させ、ゲート部のSiO2層を除去した後1000℃での水素燃焼酸化によりゲート絶縁膜(20nm)を形成した。その後、ソース、ドレイン部にNb/Niの積層構造を堆積させ、900℃で5minのアニールによりシリサイド化することでオーミックコンタクトを形成し、その上からAlゲート電極を成膜した。ドレインソース間電圧Vds=0.1 VのときのId-Vg特性からnMOSFETとしての動作が確認され、しきい値電圧は5.8 V程度であり、移動度はおよそ44.6cm2/Vsとなった。さらに室温で2MGyまでのガンマ線照射した後においてもnMOSFETとしての動作が確認され、ガンマ線耐性を示すことを確認した。
第65回応用物理学会春季学術講演会

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