Presentation プロトンビーム描画を用いたSiC pinダイオード中への発光中心の形成

千葉, 陽史  ,  常見, 大貴  ,  本多, 智也  ,  牧野, 高紘  ,  佐藤, 真一郎  ,  山田, 尚人  ,  佐藤, 隆博  ,  土方, 泰斗  ,  大島, 武

2018-03-19
Description
量子暗号通信、量子センサーへの応用が期待されている、炭化ケイ素(SiC)半導体中の原子空孔(Vsi)について発表を行う。本研究では、Vsiの発光の電気的制御を実現すべく、SiC pinダイオードを作製し、プロトンビーム照射によってVsiの形成を行った。本講演では、ダイオードを用いたVsiへの電圧印加による、Vsiの発光制御の可能性についても報告する予定である。
第65回応用物理学会春季学術講演会参加

Number of accesses :  

Other information