Presentation 窒化ガリウム半導体に高温イオン注入したプラセオジム(Pr)の発光観測

佐藤, 真一郎  ,  出来, 真斗  ,  中村, 徹  ,  大島, 武

2018-03-20
Description
窒化ガリウム半導体(GaN)中の孤立したプラセオジム(Pr)は固体量子ビットや単一光子源への応用が期待できることから、単一Prからの単一光子発生の観測に向けた最適条件の探索を進めている。今回はイオン注入したPrの活性化率の向上を図るため、最高1200℃までの高温イオン注入を行ったので、その結果について報告する。また、高速熱処理による結晶性の回復や欠陥クラスターの形成について議論する。
第65回応用物理学会春季学術講演会

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