学術雑誌論文 Pressure-induced coherent sliding-layer transition in the excitonic insulator Ta2NiSe5

Nakano, Akitoshi  ,  Sugawara, Kento  ,  Tamura, Shinya  ,  Katayama, Naoyuki  ,  Matsubayashi, Kazuyuki  ,  Okada, Taku  ,  Uwatoko, Yoshiya  ,  Munakata, Kouji  ,  Akiko Nakao  ,  Sagayama, Hajime  ,  Kumai, Reiji  ,  Kunihisa Sugimoto  ,  Maejima, Naoyuki  ,  Machida, Akihiko  ,  Watanuki, Tetsu  ,  Sawa, Hiroshi

5 ( 2 )  , pp.158 - 165 , 2018-01
ISSN:2052-2525
内容記述
励起子絶縁体である積層構造物質Ta2NiSe5の高圧下における結晶構造を単結晶及び粉末シンクロトロンX線回折測定により決定した。常圧の単斜晶励起子絶縁体相IIは、加温または圧力下において半導体の斜方晶相Iへ転移する。より高い圧力(> 3GPa)では、斜方晶の半金属相IIIへの転移が起こる。この相Iから相IIIへの転移は、弱く結合した層が結晶全体でコヒーレントにスライドして起こる圧力誘起一次相転移であり、層間Seイオン間の幾何学的配置におけるクーロン相互作用によって大きく影響される。さらに低温では相IIIは単斜晶相IVに転移し、励起子絶縁体相IIに類似した構造となる。観測された層のスライドにもかかわらず、励起子相互作用が保持されているように見える。

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