会議発表用資料 III-V族半導体ナノワイヤの構造多形形成機構

高橋, 正光

2017-12-16
内容記述
金触媒GaAsナノワイヤの構造多形について、放射光その場X線回折をおこない、積層欠陥密度など結晶構造の分布に関する情報を含めて決定した。測定結果は、GaAsナノワイヤの成長を核形成理論に基づくシミュレーションに基づいて考察した。その結果、ZB上のWZ成長核、WZ上のZB成長核が形成するさいに、高いエネルギー障壁があることが明らかになった。また、成長初期に見られるZB成長からWZ成長への変化は、核形成サイトの違いが要因であることがわかった。
特別研究プロジェクト「結晶成長の数理」第12回研究会発表

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