Presentation バイアス印加によるSiCダイオード中の発光中心の発光強度変化

本多, 智也  ,  常見, 大貴  ,  小野田, 忍  ,  佐藤, 真一郎  ,  牧野, 高紘  ,  土方, 泰斗  ,  大島, 武

2017-11-01
Description
SiC p+nn+ダイオード中の発光中心の逆バイアス電圧印加状態(ON)及び無バイアス状態(OFF)における発光を観察したところ、発光強度がバイアス電圧のON/OFFに応答する発光中心を発見した。この結果は、SiC中の単一光子源(SPS)を利用したデバイス駆動型SPS発光特性制御の実現や、内部電界可視化による新たなデバイス診断法への道を切り開いたといえる。
先進パワー半導体分科会 第4回講演会

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