Article その場X線回折による窒化物半導体薄膜の結晶成長観察

佐々木, 拓生  ,  高橋, 正光

22 ( 4 )  , pp.306 - 309 , 2017-11
Description
窒化ガリウム(GaN)薄膜の成長初期にのみ発現する特異な格子変形現象を報告する。SPring-8、量研(QST)専用ビームラインBL11XUでは、結晶成長装置とX線回折計が一体化した独自のその場測定装置を有している。本研究は、GaN薄膜成長中のその場X線回折を原子層オーダーの膜厚分解能で測定し、GaNの面内および面内垂直方向の格子間隔の変化を詳細に調べた。その結果、膜厚数ナノメートルの成長初期にのみ、従来の弾性変形とは異なる特異な格子変形を見出した。

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