会議発表用資料 GaN 上およびInN 上GaInN 成長における成長初期過程の観察

山口, 智広  ,  佐々木, 拓生  ,  高橋, 正光  ,  尾沼, 猛儀  ,  本田, 徹  ,  荒木, 努  ,  名西, 憓之

2017-09-07
内容記述
高品質GaInN 膜の実現は、GaN マトリックスを用いるこれまでのGaN 系発光デバイスに対し、より幅広いデバイス設計・デバイス応用を可能とする。高品質GaInN膜を実現するためには、格子緩和過程を理解し、その過程を制御することが求められる。今回は、RF-MBE 法を用いてGaN 上およびInN上にGaInN 成長を行い、その場X 線逆格子マッピング法を用いてGaInN 成長初期過程の観察を行ったので報告する。
第78回応用物理学会秋季学術講演会

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