Presentation Effect of plasma formation on double pulse excitation of 3C-SiC

乙部, 智仁

2017-08-26
Description
SiCの2パルスレーザー照射による励起過程をTDDFTを用いて解析した。第2パルス照射時のプラズマの状態をバンド内緩和とバンド間緩和を想定した温度設定を行いシミュレーションした。その結果励起電子密度が高く、電子温度が低い程励起効率が高いことがわかった。
2nd international symposium on attosecond science

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