Presentation 窒化物半導体の成長初期構造の放射光解析

高橋, 正光  ,  佐々木, 拓生

2017-07-01
Description
放射光施設SPring-8(BL11XU)では窒化物半導体用のMBE装置とX線回折計をドッキングした独自のその場X線回折装置を開発し、これまでに窒化物半導体の結晶成長の素過程、特に成長初期における特異構造の探索を行っている。今回は成長初期構造に関する最近の研究成果を2つ(GaN薄膜の特異格子変形、GaN薄膜成長の表面構造)紹介する。
平成29年度新学術領域「特異構造の結晶科学」領域全体会議

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