Presentation イオン照射によるヘテロ構造SiCナノチューブと新奇構造カーボンナノチューブの創製

田口, 富嗣  ,  山本, 春也  ,  大場, 弘則

2017-05-31
Description
炭化ケイ素(SiC)は、最も重要なワイドバンドギャップ半導体材料の一つである。一方で、ナノチューブはその特異な形状のため、バルク材料とは異なる諸特性を持つ可能性があることが報告されている。これまでに我々は、多結晶SiCナノチューブ、及びC-SiC同軸ナノチューブの創製に成功している。しかしながら、異なった結晶状態を複合化させたヘテロ構造SiCナノチューブは、未だ創製されていない。本研究では、多結晶SiCナノチューブを室温でイオン照射することにより、アモルファスSiCナノチューブの創製に成功した。また、マスクを用いてイオン照射することで、一本のナノチューブの中に、アモルファス領域と多結晶領域が複合化されたヘテロ構造SiCナノチューブの創製にも成功した。さらに、C-SiC同軸ナノチューブをイオン照射することで、新奇構造を持つカーボンナノチューブも創製されたので報告する。
第73回日本顕微鏡学会学術講演会

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