Presentation Si(110)表面加熱時の16×2シングルドメイン・ダブルドメイン構造形成への影響

鈴木, 翔太  ,  矢野, 雅大  ,  魚住, 雄輝  ,  朝岡, 秀人  ,  山口, 憲司

2016-11-25
Description
Si(110)表面再構成構造は16×2ダブルドメイン構造と呼ばれる極めて不規則な構造であることが知られているが、近年、外部電場による表面原子拡散(エレクトロマイグレーション)を起こし、この不規則な再構成列を単一方向に制御したSi(110)16×2シングルドメイン構造の作製が報告されている。しかし、その詳細な形成機構は不明とされている。本研究では、通電加熱によるSi(110)16×2ダブルドメイン構造の作製と加熱による熱歪みの導入を実施し、LEED(低速電子線回折)による表面構造の観察から、Si(110)16×2シングルドメイン、ダブルドメイン構造の形成条件と表面の熱歪みとの関係について調べた。
日本化学会関東支部 第27回茨城地区研究交流会

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