Presentation シリコン内光誘起キャリアによるドップラー反射を用いたテラヘルツ光の高周波数シフト

河野, 七瀬  ,  坪内, 雅明

2016-09-15
Description
半導体を光励起した際に発生する自由電子(キャリア)は,十分に高い密度を有する場合,テラヘルツ(THz)光をプラズマ反射する。キャリアは半導体内部で励起光とともに進行するプラズマミラーとして振る舞うため,対向に照射したTHz光はドップラー効果により高周波数シフトする。本研究では,サンプルをシリコン(Si),励起光を800 nmのフェムト秒パルス光とし,ドップラー反射したTHz光の検出を行った。反射THz光の電場波形および周波数スペクトルの解析から,光励起過程におけるキャリアダイナミクス,及び,ドップラー反射メカニズムの解明を行い,THz領域における新たな周波数変換手法の検討を行った。
第10回分子科学討論会

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