Presentation その場X線回折によるAu触媒InGaAsナノワイヤの成長過程検討

佐々木, 拓生  ,  高橋, 正光

2016-09-15
Description
金(Au)などの金属触媒を用いたVLS(Vapor-Liquid-Solid)法は簡便かつ、比較的制御性が高いことから、III-V族半導体ナノワイヤ(NW)の成長技術として広く用いられている。これまでAu触媒GaAs-NWの成長過程は、実験的および理論的アプローチから詳細に検討されているものの、混晶であるインジウムガリウム砒素(InGaAs)NWについての報告例は極めて少ないのが現状である。InGaAsはInとGaの組成比によって、バンドギャップエネルギーを広範囲に制御できる特徴があり、デバイス設計の幅が格段に広がることが期待される。本研究はGa、Asに加え、原料にInを供給することによるNW成長への影響を明らかにするため、その場放射光X線回折による結晶成長ダイナミクスを検討する。
第77回応用物理学会秋季学術講演会

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