学術雑誌論文 Estimation of resist sensitivity for extreme ultraviolet lithography using an electron beam

大山, 智子  ,  大島明博  ,  田川精一

6 ( 8 )  , pp.085210-1 - 085210-7 , 2016-08 , AIP Publishing
ISSN:2158-3226
内容記述
極端紫外線リソグラフィ(EUVL)は、近く半導体製造過程に導入される予定であるが、EUV露光装置は高額で出荷台数も少ないため、レジスト(パターニングに用いられる高分子材料)の基礎研究が十分にできる環境ではない。そのため、本論文では、電子線(EB)を用いてEUVレジストの感度を予測する方法を紹介した。EBとEUVによって誘起される放射線化学反応が同じであるならば、必要吸収線量はほぼ等しいであろうという仮定に基づき、EB感度からEUV感度を算出したところ、予測感度と実測感度がほぼ一致した。波長13.5 nmのEUVLのみならず、その次世代として想定されている波長6.x nmのbeyond-EUVL (BEUVL)の高感度レジスト・新露光プロセスの開発に向け、EBを使った基礎研究が可能であることが分かった。

このアイテムのアクセス数:  回

その他の情報