動的なしきいち電圧制御によるNAND型フラッシュメモリの高信頼化の研究

(第45号/2015) 2015-07-01

ISSN:1345-2428

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寄与者	健,竹内
国立情報学研究所メタデータ主題語彙集（資源タイプ）	Departmental Bulletin Paper
フォーマット	application/pdf
言語	jpn
権利	この資料の著作権は、資料の著作者または学校法人中央大学に帰属します。著作権法が定める私的利用・引用を超える使用を希望される場合には、掲載誌発行部局へお問い合わせください。
著者版フラグ	publisher
URL	http://jairo.nii.ac.jp/0341/00003467

動的なしきいち電圧制御によるNAND型フラッシュメモリの高信頼化の研究動的なしきいち電圧制御によるNAND型フラッシュメモリの高信頼化の研究Research on Dynamic Threshold Voltage Control for Highly Reliable NAND Flash Memory