会議発表論文 高温エレクトロニクスにおけるSiCの課題解決に向けて -MOSFETの低チャンネル移動度と閾値シフトの要因を解明する取り組み-
For Breakthrough to apply SiC Devices in High Temperature Electronics -Tackling Low Channel Mobility and Instability of Threshold Voltage of MOSFET-

塩見, 弘  ,  北井, 秀憲  ,  辻村, 理俊  ,  木内, 祐治  ,  福田, 憲司  ,  坂本, 邦博  ,  奥村, 元  ,  Shiomi, Hiroshi  ,  Kitai, Hidenori  ,  -  ,  -  ,  -  ,  Sakamoto, Kunihiro  ,  Okumura, Hajime

pp.18 - 23 , 2015-07 , 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所(JAXA)(ISAS) , Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency(JAXA)(ISAS)
NII書誌ID(NCID):AA11987120
内容記述
会議情報: 第25回高温エレクトロニクス研究会(2015年3月17日. 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所 (JAXA)(ISAS)), 相模原市, 神奈川県
Meeting Information: 25th ISAS Research Meeting on HIGH TEMPERATURE ELECTRONICS (March 17, 2015. Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)(ISAS)), Sagamihara, Kanagawa Japan

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