学術雑誌論文 Development of Blocked-Impurity-Band-Type Ge Detectors Fabricated with the Surface-Activated Wafer Bonding Method for Far-Infrared Astronomy

Hanaoka, Misaki  ,  Kaneda, Hidehiro  ,  Oyabu, Shinki  ,  Yamagishi, Mitsuyoshi  ,  Hattori, Yasuki  ,  Ukai, Sota  ,  Shichi, Kazuyuki  ,  Wada, Takehiko  ,  Suzuki, Toyoaki  ,  Watanabe, Kentaroh  ,  Nagase, Koichi  ,  Baba, Shunsuke  ,  Kochi, Chihiro  ,  花岡, 美咲  ,  金田, 英宏  ,  大薮, 進喜  ,  山岸, 光義  ,  服部, 和生  ,  鵜飼, 壮太  ,  志知, 和幸  ,  和田, 武彦  ,  鈴木, 仁研  ,  渡辺, 健太郎  ,  長勢, 晃一  ,  馬場, 俊介  ,  公地, 千尋

184 ( 1 )  , pp.225 - 230 , 2016-07 , Springer US
ISSN:0022-2291
NII書誌ID(NCID):AA00701270
内容記述
著者人数: 13名
Accepted: 2016-01-04

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