学術雑誌論文 Dependence of electron mobility on gate voltage sweeping width and deposition temperature in MOSFETs with HfO2/Al2O3/InGaAs gate stacks

大澤, 一斗  ,  Ohsawa, Kazuto  ,  祢津, 誠晃  ,  Seikou, Netsu  ,  木瀬, 信和  ,  Kise, Nobukazu  ,  野口, 真司  ,  Noguchi, Shinji  ,  宮本, 恭幸  ,  MIYAMOTO, YASUYUKI

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