会議発表論文 Lasing Characteristics of 1.3-µm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser with Reduced Base Bandgap Structure

吉冨, 翔一  ,  Yoshitomi, Shoichi  ,  只野, 翔太郎  ,  Tadano, Shotaro  ,  山中, 健太郎  ,  Yamanaka, Kentarou  ,  西山, 伸彦  ,  Nishiyama, Nobuhiko  ,  荒井, 滋久  ,  ARAI, SHIGEHISA

(No.) 2017-07

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