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1.3μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザの電圧変調動作に向けたGaInAsP吸収層組成の検討 1.3μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザの電圧変調動作に向けたGaInAsP吸収層組成の検討 Composition of GaInAsP absorption layer of 1.3-μm Wavelength npn-AlGaInAs/InP Transistor Lasers for Voltage Modulation by Franz-Keldysh Effect |
, 山中, 健太郎 , Yamanaka, Kentarou , 只野, 翔太郎 , Tadano, Shotaro , 吉冨, 翔一 , Yoshitomi, Shoichi , 西山, 伸彦 , Nishiyama, Nobuhiko , 荒井, 滋久 ARAI, SHIGEHISA
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