会議発表論文 Operation of 16-nm InGaAs channel multi-gate MOSFETs with regrown source/drain

木下, 治紀  ,  Kinoshita, Haruki  ,  木瀬, 信和  ,  Kise, Nobukazu  ,  行待, 篤志  ,  Yukimachi, Atsushi  ,  金澤, 徹  ,  Kanazawa, Toru  ,  宮本, 恭幸  ,  MIYAMOTO, YASUYUKI

(TuD4-2) 2016-06

このアイテムのアクセス数:  回

その他の情報