学術雑誌論文 Effects of thermal annealing on elimination of deep defects in amorphous In–Ga–Zn–O thin-film transistors

井手, 啓介  ,  Ide, Keisuke  ,  平松, 秀典  ,  hiramatsu, hidenori  ,  上田, 茂典  ,  Ueda, Shigenori  ,  大橋, 直樹  ,  Ohashi, Naoki  ,  雲見, 日出也  ,  Kumomi, Hideya  ,  細野, 秀雄  ,  HOSONO, HIDEO  ,  神谷, 利夫  ,  KAMIYA, TOSHIO

614pp.73 - 78 , 2016

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