学術雑誌論文 A 60-nm-thick enhancement mode In0.65Ga0.35As/InAs/ In0.65Ga0.35As high-electron-mobility transistor fabricated using Au/Pt/Ti non-annealed ohmic technology for low-power logic applications,

Hsu, Heng-Tung  ,  宮本, 恭幸  ,  MIYAMOTO, YASUYUKI  ,  Chang, Edward Yi

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