学術雑誌論文 Resistance switching memory characteristics of CaF<sub>2</sub>/Si/CaF<sub>2</sub> resonant-tunneling quantum-well heterostructures sandwiched by nanocrystalline Si secondary barrier layers

桑田, 友哉  ,  Kuwata, Yuya  ,  須田, 慶太  ,  Suda, Keita  ,  渡辺, 正裕  ,  WATANABE, MASAHIRO

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