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界面準位密度を考慮したSiC-MOSFET伝達特性モデルの構築 界面準位密度を考慮したSiC-MOSFET伝達特性モデルの構築 |
国崎, 愛子 , Kunisaki, Aiko , 長谷川, 淳一 , Hasegawa, Junichi , 岩崎, 孝之 , Iwasaki, Takayuki , 古橋, 壮之 , 小寺, 哲夫 , Kodera, Tetsuo , 波多野, 睦子 , Hatano, Mutsuko
2016-03
Description
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