Conference Paper 多層Al ゲート構造を用いたSi-MOS 量子ドットデバイス作製プロセスの検討

本田, 拓夢  ,  Honda, Takumu  ,  武田, 健太  ,  Takeda, Kenta  ,  川那子, 高暢  ,  Kawanago, Takamasa  ,  小寺, 哲夫  ,  Kodera, Tetsuo  ,  樽茶, 清悟  ,  Tarucha, Seigo  ,  小田, 俊理  ,  ODA, SHUNRI

2016-03

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