薄膜化したp-GaInAsPベース層を有する 1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの発振特性

"/只野, 翔太郎/"只野, 翔太郎 , "/Tadano, Shotaro/"Tadano, Shotaro , "/吉田, 匠/"吉田, 匠 , "/Yoshida, Takumi/"Yoshida, Takumi , "/金子, 貴晃/"金子, 貴晃 , "/Kaneko, Takaaki/"Kaneko, Takaaki , "/西山, 伸彦/"西山, 伸彦 , "/Nishiyama, Nobuhiko/"Nishiyama, Nobuhiko , "/荒井, 滋久/"荒井, 滋久 , "/ARAI, SHIGEHISA/"ARAI, SHIGEHISA

(No. 16p-2E-3) 2015-09

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