会議発表論文 薄膜化したp-GaInAsPベース層を有する 1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの発振特性

只野, 翔太郎  ,  Tadano, Shotaro  ,  吉田, 匠  ,  Yoshida, Takumi  ,  金子, 貴晃  ,  Kaneko, Takaaki  ,  西山, 伸彦  ,  Nishiyama, Nobuhiko  ,  荒井, 滋久  ,  ARAI, SHIGEHISA

(No. 16p-2E-3) 2015-09

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