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薄膜化したp-GaInAsPベース層を有する 1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの発振特性 Lasing Characteristics of 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laserwith Thinned p-GaInAsP Base Layer 薄膜化したp-GaInAsPベース層を有する 1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの発振特性 |
, 只野, 翔太郎 , Tadano, Shotaro , 吉田, 匠 , Yoshida, Takumi , 金子, 貴晃 , Kaneko, Takaaki , 西山, 伸彦 , Nishiyama, Nobuhiko , 荒井, 滋久 ARAI, SHIGEHISA
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