会議発表論文 µ-PCD 法によるエピタキシャルウェーハ評価の精度に関する検討

真辺, 航  ,  大村, 一郎  ,  附田, 正則

内容記述
We discussed applying the microwave photoconductivity decay (µ-PCD) to measure carrier lifetime of silicon epitaxial wafer. This paper clarified the range of evaluable substrate concentration and thickness by construction of conditional expression and TCAD simulation. The result becomes guideline on evaluation accuracy of epitaxial wafer for power device.
電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会(IEE-SPC)パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術, 2017年11月20日-21日, 鹿児島大学 稲盛会館, 鹿児島県
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